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元件参数资料
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参数目录40302
> SI7222DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK
型号:
SI7222DN-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI7222DN-T1-GE3 PDF
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
42 毫欧 @ 5.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
700pF @ 20V
功率 - 最大
17.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装
PowerPAK? 1212-8 Dual
包装
标准包装
其它名称
SI7222DN-T1-GE3DKR
查看SI7222DN-T1-GE3代理商
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